ATO-SLC NAND FLASH-AFND5608U1-256Mbit

256Mbit（32Mx8Bit） NAND FLASH

功能概要

電源

• 3.3V器件（AFND5608U1）2.7V?3.6V

組織

• 內存單元陣列：（32M + 1024K）x 8位

• 數據寄存器：（512 + 16）x 8位

自動編程和擦除

• 頁面程序：（512 + 16）Bytes

• 塊擦除：（16K +512）Bytes

頁面讀取操作

• 頁面大?。海?12 + 16）Bytes

• 隨機存?。?2us（最大）

• 串行頁面訪問：30ns（最?。?/p>

快速寫周期

• 編程時間：200us（Typ。）

• 塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

• 快速頁面復制，無需外部緩沖

命令寄存器操作

• -

安全功能

• OTP區域，16KB（32頁）

硬件數據保護

• 電源轉換期間編程/擦除被鎖定

數據的完整性

• 耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit/528byte ECC）

• 數據保留期：10年

封裝

• AFND5608U1：無鉛封裝

• 48pin TSOP（12 x 20/0.5毫米間距

• 48ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作溫度

• 商業：0°C?70°C

• 工業溫度：40°C?85°C

一般說明

AFND5608U1為256Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。

可以在528字節上以200us典型的速度執行編程操作，在16 KB塊上以2 ms的典型速度執行擦除操作。頁面中的數據可以30字節/字節的周期時間讀出。 I/O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數據和地址。每次操作期間，輸出引腳R/B（漏極開路緩沖器）發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中，R/B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND5608U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。

該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。

回寫功能可以優化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數據插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區域。

AFND5608U1是大型非易失性存儲應用（例如固態文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。

引腳配置（TSOP1）

封裝尺寸

48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）

引腳配置（48ball-FBGA）

封裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）

引腳說明

AFND5608U1功能框圖

AFND5608U1陣列組織

更多產品信息及試用

請至在線留言中，告訴我們您所需要的產品和其他相關信息，我們會盡快將資料及產品發給您！

256Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH

功能概要

電源

• 3.3V器件（AFND5616U1）2.7V?3.6V

組織

• 存儲單元陣列：（16M + 512K）x 16位

• 數據寄存器：（256 + 8）x 16位

自動編程和擦除

• 頁面程序：（256 + 8）Word

• 區塊擦除：（8K + 256）字

頁面讀取操作

• 頁面大小：（256 + 8）字

• 隨機存?。?2us（最大）

• 串行頁面訪問：30ns（最小）

快速寫周期

• 編程時間：200us（Typ。）

• 塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation

• 快速頁面復制，無需外部緩沖

命令寄存器操作

• -

安全功能

• OTP區域，8K Word（32頁）

硬件數據保護

• 電源轉換期間編程/擦除被鎖定

數據的完整性

• 耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit/264Words ECC）

• 數據保留期：10年

封裝

• AFND5616U1：無鉛封裝

• 48pin TSOP（12 x 20/0.5毫米間距）

• 48ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm

工作溫度

• 商業：0°C?70°C

• 工業溫度：40°C?85°C

一般說明

AFND5616U1為256Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用3.3V電源供電。

其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。

可以在264Word上典型地以200us執行編程操作，而在8KWord塊上典型地以2ms執行擦除操作。每個字可以30ns的循環時間讀取頁面中的數據。 I/O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數據和地址。每次操作期間，輸出引腳R/B（漏極開路緩沖器）發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中，R/B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND5616U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。

該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。

回寫功能可以優化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數據插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區域。

AFND5616U1是大型非易失性存儲應用（如固態文件存儲和其他要求非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。

引腳配置（TSOP1）

a22fADC869a61730b28ab3a7a8afe60e

封裝尺寸

48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）

引腳配置（48ball-FBGA）

包裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）

引腳說明

AFND5616U1功能框圖

AFND5616U1陣列組織

更多產品信息及試用

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研尚產品可提供的部分產品列表

• 音頻編解碼器： Codec、 ADC、 DAC、 音頻功放、 硅麥、 耳放

• 射頻器件： 定位芯片、 定位模塊、 LNA、 無線射頻芯片、 NFC

• 電源轉換： 升壓芯片、 降壓芯片、 LDO、 背光驅動

• 電源管理： 鋰電池充電管理、 鋰電池保護、 QC快充協議、 OVP/OCP、 電壓檢測、 復位芯片、 PMU、 顯示屏電源芯片、 MOSFET、 ESD

• 存儲器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM

• 馬達驅動： 步進電機/無刷&有刷

• MCU微控制器： MCU、 指紋芯片、 加密芯片

• 無線通信： 5G&4G通訊模組、 NB-IoT模組

• 其它芯片： 運算放大器、 OSD