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ATO NAND FLASH：AFND1G08U3

產品詳細

ATO-SLC NAND FLASH-AFND1G08U3-1Gbit(128M×8Bit）

功能概要

電源

3.3V器件（AFND1G08U3）2.7V?3.6V

組織

存儲單元陣列：（128M + 4M）x 8位
數據寄存器：（2048 + 64）x 8位

自動編程和擦除

頁面程序：（2048 + 64）x 8位
塊擦除：（128K + 4K）x 8位= 64頁

頁面讀取操作

頁面大?。海?048 + 64）x 8位
隨機存取：25us（最大）
串行頁面訪問：25ns（最?。?/p>

快速寫周期

編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制，無需外部緩沖

狀態寄存器

正常狀態寄存器（讀/編程/擦除）

安全功能

OTP區域，16KB（8頁）

硬件數據保護

電源轉換期間編程/擦除被鎖定

數據的完整性

耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit / 528byte ECC）
數據保留期：10年

包

AFND1G08U3：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20 / 0.5毫米間距
48球FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
48球FBGA：6.5 x 8.0 x 1.0mm

工作溫度

商業：0°C?70°C
工業溫度：40°C?85°C

一般說明

AFND1G08U3是1G位，具有32Mbit的備用容量。該器件采用3.3V電源供電。其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。存儲器分為可獨立擦除的塊，因此可以在擦除舊數據的同時保留有效數據。該器件包含1024個塊，由64頁組成，由16個串聯閃存單元的兩個NAND結構組成?？梢栽?048字節上以典型200us的速度執行編程操作，在128K字節塊上以2ms的典型時間執行擦除操作。頁面中的數據可以每個字節25ns的循環時間讀取。I / O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/ CE，/ WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數據和地址。每次操作期間，輸出引腳R / B（漏極開路緩沖器）發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中，R / B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（錯誤校正碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND1G08U3擴展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（錯誤校正碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND1G08U3擴展的100K編程/擦除周期可靠性。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（錯誤校正碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND1G08U3擴展的100K編程/擦除周期可靠性。

該芯片可以提供/ CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/ CE轉換不會停止讀取操作。

回寫功能可以優化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數據插入階段。此外，該設備還包括其他功能，例如OTP區域，阻止機制。

AFND1G08U3是大型非易失性存儲應用（例如固態文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。

引腳配置（TSOP1）

封裝尺寸

引腳配置（48ball-FBGA）

封裝外形圖（48ball-FBGA 6.5x8mm）

引腳說明

引腳名稱	引腳功能
I/O0?I/O7	數據輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數據，并在讀取操作期間輸出數據。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。
CLE	命令閂鎖使能 CLE輸入控制發送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時，命令在/ WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。
ALE	地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/ WE的上升沿
/CE	芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制，請參見設備操作的“頁面讀取”部分。
/RE	READ ENABLE /RE輸入是串行數據輸出控件，激活時將數據驅動到I/O總線上。數據在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內部列地址計數器加1。
/WE	寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數據在/WE脈沖的上升沿鎖存。
/WP	寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內部高壓發生器復位。
R/B	READY / BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態。它是開漏輸出，當取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態。
Vcc	電源 Vcc是設備的電源。
VS	地面
N.C	無連接導線未在內部連接。

AFND1G08U3功能框圖

AFND1G08U3陣列組織

	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0	I/O 0
1st Cycle	A0	A1	A2	A3	A4	A5	A6	A7	Column Address
2nd Cycle	A8	A9	A10	A11	*L	*L	*L	*L	Column Address
3rd Cycle	A12	A13	A14	A15	A16	A17	A18	A19	Row Address
4th Cycle	A20	A21	A22	A23	A24	A25	A26	A27	(Page Address)