電源
3.3V器件(AFND1208U1)2.7V?3.6V
組織
存儲單元陣列:(64M + 2M)x 8位
數據寄存器:(512 + 16)x 8位
自動編程和擦除
頁面程序:(512 + 16)x 8位
塊擦除:(16K +512)Bytes = 32pages
頁面讀取操作
頁面大小:(512 + 16)Bytes
隨機存取:15us(最大)
串行頁面訪問:30ns(最小)
快速寫周期
編程時間:200us(Typ。)
塊擦除時間:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制,無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區域,16KB(32頁)
硬件數據保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數據的完整性
耐久性:100K編程/擦除周期(具有1bit / 528byte ECC)
數據保留期:10年
封裝
AFND1208U1:無鉛封裝
48pin TSOP(12 x 20 / 0.5毫米間距
48Ball FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業:0°C?70°C
工業溫度:40°C?85°C
AFND1208U1為512Mbit,具有16Mbit的備用容量。該器件采用3.3V電源供電。
其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。存儲器分為可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數據的同時保留有效數據。該器件包含4096個塊,由32頁組成,包括16個串聯閃存單元的兩個NAND結構。可以在528字節上以200us典型的速度執行編程操作,在16 KB塊上以2 ms的典型速度執行擦除操作。頁面中的數據可以30字節/字節的周期時間讀出。 I / O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/ CE,/ WE,ALE和CLE輸入引腳同步引入命令,數據和地址。每次操作期間,輸出引腳R / B(漏極開路緩沖器)發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中,R / B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能,包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC(糾錯碼)提供實時映射輸出算法,即使是寫密集型系統也可以利用AFND1208U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/ CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼,因為/ CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優化缺陷塊管理:當頁面編程操作失敗時,可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中,而無需耗時的串行數據插入階段。此外,該設備還包括其他功能,例如OTP區域,阻止機制,加電時自動讀取,讀取ID2擴展。
AFND1208U1是大型非易失性存儲應用(例如固態文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應用)的最佳解決方案。
48PIN鉛/鉛免費塑料薄型小外形包裝類型(I)
引腳名稱 | 引腳功能 |
I/O0?I/O7 | 數據輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令,地址和數據,并在讀取操作期間輸出數據。取消選擇芯片或禁用輸出時,I/O引腳懸空至高阻z。 |
CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時,命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。 地址在ALE高電平時鎖存在/ WE的上升沿 |
/CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態時,/CE高電平將被忽略,并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/ CE控制,請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
/RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數據輸出控件,激活時將數據驅動到I/O總線上。數據在/RE下降沿之后有效tREA,這也會使內部列地址計數器加1。 |
/WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令,地址和數據在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
/WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時,內部高壓發生器復位。 |
R/B | READY / BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態。為低時,表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序,并在完成時返回高狀態。它是開漏輸出,當取消選擇芯片或禁用輸出時,它不會浮到高阻狀態。 |
Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
VS | 地面 |
N.C | 無連接 導線未在內部連接。 |
I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
4th Cycle | A25 | *L | *L | *L | *L | *L | *L | *L |
請至在線留言中,告訴我們您所需要的產品和其他相關信息,我們會盡快將資料及產品發給您!
電源
3.3V器件(AFND1216U1)2.7V?3.6V
組織
存儲單元陣列:(32M + 1M)x 16位
數據寄存器:(256 + 8)x 16位
自動編程和擦除
頁面程序:(256 + 8)x 16位
區塊擦除:(8K +256)字
頁面讀取操作
頁面大小:(256 + 8)字
隨機存?。?5us(最大)
串行頁面訪問:30ns(最?。?/p>
快速寫周期
編程時間:200us(Typ。)
塊擦除時間:2ms(Typ。)CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制,無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區域,16KB(32頁)
硬件數據保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數據的完整性
耐用性:100K編程/擦除周期(具有1bit / 528byte ECC)
數據保留期:10年
封裝
AFND1216U1:無鉛封裝
48pin TSOP(12 x 20 / 0.5毫米間距)
48Ball FBGA:9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業:0°C?70°C
工業溫度:40°C?85°C
AFND1216U1為256Mbit,備用容量為8Mbit。該器件采用3.3V電源供電。
其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。存儲器分為可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數據的同時保留有效數據。該器件包含4096個塊,由32頁組成,包括16個串聯閃存單元的兩個NAND結構。編程操作可以在264字中以典型的200us執行,擦除操作可以在8K字塊中以典型的2ms執行。頁面中的數據可以30字節/字節的周期時間讀出。 I / O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/ CE,/ WE,ALE和CLE輸入引腳同步引入命令,數據和地址。每次操作期間,輸出引腳R / B(漏極開路緩沖器)發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中,R / B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能,包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC(糾錯碼)提供實時映射輸出算法,即使是寫密集型系統也可以利用AFND1216U1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/ CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼,因為/ CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優化缺陷塊管理:當頁面編程操作失敗時,可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中,而無需耗時的串行數據插入階段。此外,該設備還包括其他功能,例如OTP區域,阻止機制,加電時自動讀取,讀取ID2擴展。
AFND1216U1是大型非易失性存儲應用(如固態文件存儲和其他便攜式設備)的最佳解決方案
48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型(I)
引腳名稱 | 引腳功能 |
I/O0?I/O15 | 數據輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令,地址和數據,并在讀取操作期間輸出數據。取消選擇芯片或禁用輸出時,I/O引腳懸空至高阻z。 |
CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時,命令在/ WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/ WE的上升沿 |
/CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態時,/CE高電平將被忽略,并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制,請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
/RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數據輸出控件,激活時將數據驅動到I/O總線上。數據在/ RE下降沿之后有效tREA,這也會使內部列地址計數器加1。 |
/WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令,地址和數據在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
/WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時,內部高壓發生器復位。 |
R/B | READY / BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態。為低時,表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序,并在完成時返回高狀態。它是開漏輸出,當取消選擇芯片或禁用輸出時,它不會浮到高阻狀態。 |
Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
VS | 地面 |
數控 | 無連接 導線未在內部連接。 |
I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
4th Cycle | A25 | *L | *L | *L | *L | *L | *L | *L |
請至在線留言中,告訴我們您所需要的產品和其他相關信息,我們會盡快將資料及產品發給您!
電源轉換: DC-DC升壓轉換、 DC-DC降壓轉換、 LDO低壓差線性穩壓器、 LED背光驅動
電源管理: 鋰電池充電管理、 鋰電池保護、 QC快充協議、 過壓&過流保護、 電壓檢測/復位芯片、 PMU、 顯示屏電源芯片、 MOSFET、 ESD保護器件
MCU微控制器: MCU、 指紋模組算法芯片、 安全加密芯片
存儲器: SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM
馬達驅動: 步進電機驅動芯片、 無刷&有刷電機驅動芯片
傳感器件: 激光測距、 接近測距、 激光雷達、 毫米波雷達
無線通信: 5G&4G通訊模組、 NB-IoT模組
Other: 運算放大器、 OSD視頻字符疊加芯片