ATO-SLC NAND FLASH-AFND1208S1-512Mbit
512Mbit（64Mx8Bit） NAND FLASH
功能概要
電源
1.8V器件（AFND1208S1）1.7V?1.95V
組織
存儲單元陣列：（64M + 2M）x 8位
數據寄存器：（512 + 16）x 8位
自動編程和擦除
頁面程序：（512 + 16）Bytes
塊擦除：（16K +512）Bytes
頁面讀取操作
頁面大?。海?12 + 16）Bytes
隨機存?。?5us（最大）
串行頁面訪問：50ns（最?。?/p>
快速寫周期
編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制，無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區域，16KB（32頁）
硬件數據保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數據的完整性
耐用性：100K編程/擦除周期（具有1bit /528byte ECC）
數據保留期：10年
封裝
AFND1208S1：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米間距
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業：0°C?70°C
工業溫度：40°C?85°C
一般說明
AFND1208S1為512Mbit，具有16Mbit的備用容量。該器件采用1.8V電源供電。
其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。
可以在528字節上以200us典型值執行編程操作，在16K字節塊上以2ms典型值執行擦除操作。頁面中的數據可以每個字節50ns的循環時間讀取。 I/O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數據和地址。每次操作期間，輸出引腳R /B（漏極開路緩沖器）發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中，R /B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射輸出算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND1208S1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數據插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區域。
AFND1208S1是大型非易失性存儲應用（例如固態文件存儲和其他需要非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。
引腳配置（TSOP1）
封裝尺寸
48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）
引腳配置（48ball-FBGA）
包裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）
引腳說明
| 引腳名稱 | 引腳功能 |
| I/O0?I/O7 | 數據輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數據，并在讀取操作期間輸出數據。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。 |
| CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時，命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。 地址在ALE高電平時鎖存在/WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制，請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數據輸出控件，激活時將數據驅動到I/O總線上。數據在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內部列地址計數器加1。 |
| /WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數據在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
| /WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內部高壓發生器復位。 |
| R /B | READY /BUSY輸出 R /B輸出指示設備操作的狀態。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態。它是開漏輸出，當取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態。 |
| Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 無連接 導線未在內部連接。 |
AFND1208S1功能框圖
AFND1208S1陣列組織
| I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
| 3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
| 4th Cycle | A25 | *L | *L | *L | *L | *L | *L | *L |
512Mbit（32Mx16Bit） NAND FLASH
功能概要
電源
1.8V器件（AFND1216S1）1.7V?1.95V
組織
存儲單元陣列：（32M + 1M）x 16位
數據寄存器：（256 + 8）x 16位
自動編程和擦除
頁面程序：（256 + 8）個單詞
塊擦除：（8K + 256）個字
頁面讀取操作
頁面大?。海?56 + 8）個字
隨機存?。?5us（最大）
串行頁面訪問：50ns（最?。?/p>
快速寫周期
編程時間：200us（Typ。）
塊擦除時間：2ms（Typ。）CopyBack PROGRAM Operation
快速頁面復制，無需外部緩沖
命令寄存器操作
-
安全功能
OTP區域，8K字（32頁）
硬件數據保護
電源轉換期間編程/擦除被鎖定
數據的完整性
耐用性：100K編程/擦除周期具有1bit /264Words ECC）
數據保留期：10年
封裝
AFND1216S1：無鉛封裝
48pin TSOP（12 x 20 /0.5毫米間距）
48Ball FBGA：9.0 x 9.0 x 1.0mm
工作溫度
商業：0°C?70°C
工業溫度：40°C?85°C
一般說明
AFND1216S1為512Mbit，備用容量為8Mbit。該器件采用1.8V電源供電。
其NAND單元為固態海量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。
可以在264Words上典型地以200us執行編程操作，而在8KWords塊上典型地以2ms執行擦除操作。每個字可以以50ns的循環時間讀取頁面中的數據。 I/O引腳用作地址和數據輸入/輸出以及命令輸入的端口。使用/CE，/WE，ALE和CLE輸入引腳同步引入命令，數據和地址。每次操作期間，輸出引腳R /B（漏極開路緩沖器）發出信號以指示設備狀態。在具有多個存儲器的系統中，R /B引腳可以全部連接在一起以提供全局狀態信號。片上寫控制可自動執行所有編程和擦除功能，包括在需要時進行脈沖重復以及內部驗證和數據余量處理。通過為ECC（糾錯碼）提供實時映射算法，即使是寫密集型系統也可以利用AFND1216S1擴展的100K編程/擦除周期可靠性。
該芯片可以提供/CE無關功能。該功能允許微控制器從NAND閃存設備直接下載代碼，因為/CE轉換不會停止讀取操作。
回寫功能可以優化缺陷塊管理：當頁面編程操作失敗時，可以將數據直接編程在同一數組部分內的另一個頁面中，而無需耗時的串行數據插入階段。此外，此設備還包括其他功能，例如OTP區域。
AFND1216S1是大型非易失性存儲應用（如固態文件存儲和其他要求非易失性的便攜式應用）的最佳解決方案。
引腳配置（TSOP1）
封裝尺寸
48引腳無鉛/無鉛塑料薄型小型外形封裝類型（I）
引腳配置（48ball-FBGA）
包裝外形圖（48ball-FBGA 9x9mm）
引腳說明
| 引腳名稱 | 引腳功能 |
| I/O0?I/O15 | 數據輸入/輸出 I/O引腳用于輸入命令，地址和數據，并在讀取操作期間輸出數據。取消選擇芯片或禁用輸出時，I/O引腳懸空至高阻z。 |
| CLE | 命令閂鎖使能 CLE輸入控制發送到命令寄存器的命令的激活路徑。當高電平有效時，命令在/WE信號的上升沿通過I/O端口鎖存到命令寄存器中。 |
| ALE | 地址鎖存使能 ALE輸入控制地址到內部地址寄存器的激活路徑。地址在ALE高電平時鎖存在/WE的上升沿 |
| /CE | 芯片使能 /CE輸入是設備選擇控件。當設備處于繁忙狀態時，/CE高電平將被忽略，并且在編程或擦除操作中設備不會返回待機模式。關于讀取操作期間的/CE控制，請參見設備操作的“頁面讀取”部分。 |
| /RE | READ ENABLE /RE輸入是串行數據輸出控件，激活時將數據驅動到I/O總線上。數據在/RE下降沿之后有效tREA，這也會使內部列地址計數器加1。 |
| /WE | 寫入使能 /WE輸入控件寫入I/O端口。命令，地址和數據在/WE脈沖的上升沿鎖存。 |
| /WP | 寫保護 /WP引腳在電源轉換期間提供了意外的寫/擦除保護。/WP引腳為低電平有效時，內部高壓發生器復位。 |
| R/B | READY /BUSY輸出 R/B輸出指示設備操作的狀態。為低時，表示正在進行擦除隨機讀取操作的程序，并在完成時返回高狀態。它是開漏輸出，當取消選擇芯片或禁用輸出時，它不會浮到高阻狀態。 |
| Vcc | 電源 Vcc是設備的電源。 |
| VS | 地面 |
| N.C | 無連接 導線未在內部連接。 |
AFND1216S1功能框圖
AFND1216S1陣列組織
| I/O 1 | I/O 2 | I/O 3 | I/O 4 | I/O 5 | I/O 6 | I/O 7 | I/O 0 | ||
| 1st Cycle | A0 | A1 | A2 | A3 | A4 | A5 | A6 | A7 | Column Address |
| 2nd Cycle | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 | A15 | A16 | Row Address |
| 3rd Cycle | A17 | A18 | A19 | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | (Page Address) |
| 4th Cycle | A25 | *L | *L | *L | *L | *L | *L | *L |
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MCU微控制器： MCU、 指紋模組算法芯片、 安全加密芯片
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存儲器： SDRAM、 DDR、 Flash、 EEPROM
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馬達驅動： 步進電機驅動芯片、 無刷&有刷電機驅動芯片
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無線通信： 5G&4G通訊模組、 NB-IoT模組
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